将多晶硅料放在坩埚中，加热后将融融态硅提拉出来。制备方法：将高纯多晶硅放入高纯石英坩埚中，在硅单晶炉内熔化；然后用一根固定在籽晶轴上的籽晶插入溶体表面，待籽晶与熔体熔合后，慢慢向上拉籽晶，晶体便在籽晶下端生长。特点：CZ法较容易及较低成本增加晶圆的尺寸，以吻合微电子元件制造业要求大尺寸、高纯度、高生产率的趋向。含氧量高。